美光发布Micron 3400和2450系列M.2 SSD，采用最新176层3D NAND颗粒至高6.6G/s读取_固 ...

美光今天在台北电脑展上，带来了采用176层3D NAND颗粒的全新SSD，有走PCIe 4.0 的美光3400和常规PCIe 3.0的美光2450两个系列。

美光3400定位稍高，采用M.2 2280尺寸规格，有512GB、1TB和2TB三种容量，都基于176层3D NAND颗粒（具体类型未知，大概率QLC）。主控未知，走PCIe 4.0通道，兼容NVMe 1.4高速协议，还有先进的电控管理，因此它会更省电高效。

性能上，512GB版本连续读取为6600MB/秒，写入3600MB/秒，4K随机读取36万IOPS，写入70万IOPS，写入寿命为300TBW。1TB版本连续读取为6600MB/秒、写入高达5000MB/秒、4k随机读写分别为63万IOPS、70万IOPS，写入寿命为800TBW。2TB版本连续读取为6600MB/秒，写入也是5000MB/秒，4k随机读写分别Wie72万IOPS和70万IOPS，写入寿命为1200TBW。

所有版本都具有超低延迟表现，读取延迟为55μs，写入延迟14μs，无故障运行寿命200万小时。

定位稍低的Micron 2450针对紧凑型平台，除了M.2 2280尺寸规格外，还有M.2 2242和M.2 2230两种尺寸，都适合空间紧凑，或者当做副卡使用。

它也采用了最新的176层3D NAND颗粒（未透露类型），主控未知，有256GB、512GB和1TB三种容量。走PCIe 3.0通道，全系连续读写均为3.6G/s和3.0G/s，不同的是4K随机表现和写入寿命，256GB版本4k随机读写分别为19万IOPS和40万IOPS，写入寿命为180TBW；1TB版本4K随机大幅提升，分别为38万IOPS和50万IOPS，写入寿命300TBW；2TB版本4k随机读写分别为45万IOPS和50万IOPS，写入寿命为600TBW。

同样，全系也都有低延迟表现，读取延迟为50μs（比3400还低），写入延迟为12μs，无故障运行寿命为200万小时。

暂时还没有公布具体上市时间和价格，预计在Q2季度-Q3季度了，等等看，有美光176层颗粒加入战局，应该会加剧市场竞争，从而拉低同级竞品的价格。

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