Kioxia(铠侠)和西部数据今天宣布,双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑,也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。 Kioxia首席技术官Masaki Momodomi表示:
这款第六代3D闪存采用了超越传统的先进架构,与第五代技术相比,横向单元阵列密度提高了10%。这种横向扩展的进步,结合162层堆叠式垂直存储器,与112层堆叠技术相比,可将芯片尺寸缩小40%,从而优化了成本。Kioxia和西部数据的团队还采用了阵列CMOS电路布局和四路同时操作,与上一代产品相比,这两种技术的应用使性能提高了近2.4倍,读取延迟上提高了10%。I/O性能也提高了66%,从而使下一代接口能够支持更快的传输速率,满足不断增长的性能需求。 总体而言,与上一代产品相比,新的3D NAND降低了每单位的成本,并使每个晶圆的存储数量增加了70%。Kioxia和西部数据继续推动创新,以确保不断扩大规模,满足客户及其多样化应用的需求。 未经授权,不得转载
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