SK海力士概念性技术：用EUV生产DRAM、600层堆叠的3D NAND_内存

SK海力士CEO李锡熙近日在IEEE国际可靠性物理研讨会（IRPS）上作了主题演讲，讲述了SK海力士产品的未来计划，分享了一些概念性技术，比如用EUV光刻生产的DRAM和600层堆叠的3D NAND。

目前为止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176层堆叠的3D NAND，看起来600层还很遥远，目前他们还只是在研究这种可能性，在达到600层堆叠前还需要解决各种问题。

SK海力士致力于确蚀刻技术实现高纵横比，以实现业界所需的高密度技术，此外他们还推出了原子层沉积技术，以进一步改善单元的电荷存储性能，并在需要时把电荷放出，同时开发新的导电材料让电荷在一定程度上保持均匀。

除此之外为了解决薄膜应力问题，控制了薄膜的机械应力水平，并优化了单元氧化氮材料。为了应对在有限的高度上堆叠更多电池时发生的电池间干扰现象和电荷损失，SK Hynix开发了隔离电荷陷阱氮化物结构来增强可靠性。

为了对应在有限高度内堆叠多层时发生的单元间电荷干扰与电荷损失，SK海力士开发了隔离电荷陷阱氧化物结构，以提高可靠性。

在DRAM方面，SK海力士引入了EUV光刻设备来解决以往DUV光刻的局限性，制程工艺能轻松达到10nm以下，以此来提升生产效率。当然还有问题要解决的，比如为了保持单元电容，他们正试图改善电介质厚度，开发具有高介电常数的新材料，并采用新的单元结构。这些单元互连需要尽可能低的电阻，他们正在寻找新一代电极与绝缘材料，并推出新工艺。